硕士生导师 罗小蓉 简介
【个人简介】
罗小蓉，女，博士，教授，剑桥大学博士后，博士生导师，国家重要人才计划特聘教授，爱思唯尔“中国高被引学者”，教育部新世纪优秀人才计划入选者，四川省有突出贡献的优秀专家，四川省三八红旗手。长期从事功率半导体器件与集成技术研究，获国家科技进步二等奖2项、四川省科技进步一等奖、四川省技术发明二等奖、教育部自然科学二等奖及国防技术发明二等奖4项。主持（包括担任技术首席）重点项目2项、国家人才青年科技基金1项以及其他国家级、省部级科研项目30余项，发表SCI论文140余篇，以第一发明人获授权美国专利6项、中国发明专利100余项，出版专著和教材共4部，参与建成1门国家精品在线开放课程和2门四川省精品课程，获批四川省教研教改项目2项（重大1项），获电子科技大学 “本科教学优秀奖”和“我最喜爱的老师”卓越风采奖。担任包含功率半导体领域国际顶级学术会议ISPSD等多个国际国内学术会议的TPC委员，担任多类国家重要（人才）科研项目的会评专家。
【研究方向】
功率半导体器件与集成电路
【部分论文】
1. Novel Ultralow Loss SOI LIGBT With a Self-Adaptive PMOS and Double Floating Ohmic Contacts 中科院Q2,IEEE Transactions on Electron Devices，PP.5196-5202,(引用18) 2023.8
2. A Snapback-Free and Low-Loss Shorted-Anode SOI LIGBT With Self-Adaptive Resistance 中科院Q2,IEEE Transactions on Electron Devices,PP.1390-1395, (引用19) 2019.2
3. Experimental Study on Static and Dynamic Characteristics of Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Compound Termination 中科院Q1,IEEE Transactions on Power Electronics,PP. 10976-10980,(引用26) 2021.3
4. Low Switching Loss and EMI Noise IGBT With Self-Adaptive Hole-Extracting Path 中科院Q2,IEEE Transactions on Electron Devices，PP. 2572-2576,(引用7) 2021.3
5. A Novel IGBT With Voltage-Clamping for Turn-on Overshoot Suppression Under Hard-Switching 中科院Q2,IEEE Transactions on Electron Devices，PP. 2572-2576,(引用2) 2021.8
【部分项目】
1. XXXX氧化镓器件新结构机理和工艺 2021.11-2024.11 到账经费1791万元
2. XXXX电源变换关键技术研究 2019.1-2023.12 到账经费500万元
3. 新型高阈值电压GaN电力电子器件模型与关键技术研究 2021.1-2024.12 到账经费260万元
4. 国家自然科学基金 对称极化掺杂增强型功率 GaN HFET 机理与工艺实现研究 2019.1-2022.12 到账经费64万元
【联系邮箱】
xrluo@cuit.edu.cn
